Домой Новости технологий TSMC анонсировала производство 1.6нм чипов к 2026 году

TSMC анонсировала производство 1.6нм чипов к 2026 году

27
0

 TSMC анонсировала производство 1.6нм чипов к 2026 году

В среду на Североамериканском технологическом симпозиуме в Санта-Кларе, Калифорния, TSMC, ведущий мировой контрактный производитель, объявил о начале производства чипов с использованием 1.6нм технологического процесса к 2026 году.

В этом году самые передовые процессоры TSMC для смартфонов будут изготовлены с использованием второго поколения 3-нм техпроцесса (N3E). Чипы, такие как A18 Pro и A18 Bionic для серии iPhone 16, Snapdragon 8 Gen 4 SoC от Qualcomm и чипсет Dimensity 9400 от MediaTek, должны быть изготовлены с использованием этого технологического процесса. С уменьшением технологических узлов происходит и уменьшение размеров транзисторов в микросхемах. Это позволяет размещать больше транзисторов, что, в свою очередь, увеличивает производительность и энергоэффективность компонентов.

Например, 7нм A13 Bionic, который питал серию iPhone 11 2019 года, содержал 8.5 миллиарда транзисторов, в то время как прошлогодние iPhone 15 Pro и iPhone 15 Pro Max оснащены 3-нм A17 Pro, который содержит уже 19 миллиардов транзисторов. TSMC заявляет, что 1.6нм узел “значительно улучшит логическую плотность и производительность”.

ЧИТАТЬ ТАКЖЕ:  США разместили в Персидском заливе атомную субмарину USS Florida, которая может нести 154 крылатые ракеты Tomahawk дальностью до 2500 км

TSMC объявила, что их 1,6-нм технологический процесс будет включать «задние шины питания», которые переносят проводку для соединения чипов с источниками питания с верхней части чипа на нижнюю. Текущая конфигурация предполагает, что провода, расположенные над чипами и подключенные к источникам питания, конкурируют за пространство с проводами, соединяющими компоненты, в результате чего происходит потеря энергии и снижается эффективность.

Во второй половине следующего года TSMC начнет массовое производство чипов на своем 2-нм технологическом узле. 2-нанометровый процесс TSMC будет использовать транзисторы Gate-All-Around (GAA), которые имеют затвор, охватывающий все четыре стороны канала, что снижает утечку тока и повышает ток привода. Samsung уже применяет транзисторы GAA в своем 3-нм процессе. В конце прошлого года TSMC уже предоставила 2-нм прототипы своим двум крупнейшим клиентам, Apple и NVIDIA.

Источник: Nikkei Asia